JMSH0401BGQ-13

JIEJIE
JMSH0401BGQ 40V 0.90mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 276 A 0.90 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0401BGQ 40V 0.90mΩ N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) • Low Gate Charge, Qg • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating Value Unit VDS 40 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 276 A 0.90 mΩ • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-8L Pin Configuration Top View Bottom View Top View D 1 8 2 7 3 6 4 5 G S Ordering Information Device Package # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) JMSH0401BGQ-13 PDFN5x6-8L 8 SH0401BQ 1 -55 to 175 13-inch Reel 5000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 40 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter Continuous Drain Current (1) TC = 25°C 276 ID TC = 100°C A 195 Pulsed Drain Current (2) IDM 1103 Avalanche Current (3) IAS 42 A Avalanche Energy (3) EAS 441 mJ Power Dissipation (4) TC = 25°C 176 PD TC = 100°C W 88 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A -55 to 175 RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 3 10 ID = 20A VDS = 20V 2.5 ID = 20A 8 2 VGS (V) RDS(ON) (mΩ) °C 1.5 6 4 1 2 0.5 0 0 0 5 10 15 20 0 Rev.1.2 20 40 60 80 Qg (nC) VGS (V) Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0401BGQ-13 

JMSH0401BGQ_Rev1.2.xlsx

Дата модификации: 16.03.2023

Размер: 380.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)