JMTL3134K

JIEJIE
JMTL3134K Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  20V, 0.9A RDS(ON)< 175mΩ @ VGS =4.5V RDS(ON)< 275mΩ @ VGS =2.5V      Load Switch  PWM Application  Power management Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Protected: 2KV SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE2304 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML2402 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- CJ3134K (JSCJ)
 
— 8000 шт — —
P- CRTJ550N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL3134K Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  20V, 0.9A RDS(ON)< 175mΩ @ VGS =4.5V RDS(ON)< 275mΩ @ VGS =2.5V      Load Switch  PWM Application  Power management Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired ESD Protected: 2KV SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 34K JMTL3134K TAPING SOT-23 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 20 V VGSS Gate-Source Voltage ±10 V TA = 25℃ 0.9 A TA = 100℃ 0.6 A 3.6 A 0.23 W 543 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TA = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.1 -1- PDF
Документация на JMTL3134K 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 23.02.2022

Размер: 326.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)