2N7002DW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs 2N7002DW Dual N-channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 5Ω@10V 60 V 115mA 6  7Ω@5V 5 4 1 2 3 APPLICATION z Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE High density cell design for low RDS(ON) z Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z High saturation ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002KDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в коробках 3000 шт
P= 2N7002DW (YJ)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
P= 2N7002DW (SHIKUES)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 100 шт ±
P= 2N7002KCDWQ (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363
A+ 2N7002DW K72 SOT-363 (JSCJ)
 
в ленте 35 шт
A+ 2N7002V (JSCJ)
 

2N7002V (ONS-FAIR)
SOT-563
 
A+ 2N7002DW K72 (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT-363
A+ L2N7002DW1T1G (LRC)
 
629 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.