BAV19WS

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 5 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
P= BAS316 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS316T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS316 (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 500 шт
 
 — — — — — —
P= BAS16 (JSCJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= 1N4448WS (JSCJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 6000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS16LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD914 (ANBON)
 

MMBD914 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS16 (SHIKUES)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= BAS16 (YJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= MMBD4148A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM)
P= MMBD4148 (ANBON)
 

MMBD4148 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= LMBD6050LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — — — —
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS16W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= LBAS16WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS416 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon
P= BAS16WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= L1SS356T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —
A- BAV19WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- BAV316 (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
A- BAV19WS (YJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
A- BAS16WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- 1N4148G-CB2-R (UTC)
 
SOD323 в ленте 3000 шт —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODE SOD-323 FEATURES Low Reverse Current z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications z z MARKING: BAV19WS A8 BAV20WS T2 BAV21WS T3 T2 T3 A8 A8 T3 T2 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Value Symbol Parameter VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) Unit BAV19WS BAV20WS BAV21WS 120 200 250 100 150 200 71 106 141 RMS Reverse Voltage V V V Average Rectified Output Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t= 8.3ms 2.0 A IFRM Repetitive Peak Forward Surge Current 625 mA Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W -55~+150 ℃ IO PD RΘJA Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse current Symbol Test conditions Min BAV19WS 0.1 IR = VR 150V BAV20WS 0.1 VR 200V = BAV21WS 0.1 1 1.25 Total capacitance = = VR 0V,f 1MHz Ctot www.jscj-elec.com Max = VR 100V = IF 100mA VF Forward voltage = IF 200mA Reverse recovery time Typ trr IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR , RL=100Ω 1 Unit uA V 5 pF 50 ns Rev. - 2.1 PDF
Документация на BAV19WS 

Author: Administrator

Дата модификации: 28.06.2020

Размер: 703 Кб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODE SOD-323 FEATURES Low Reverse Current z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z Fast Switching Speed For General Purpose Switching Applications z z MARKING: BAV19WS A8 BAV20WS T2 BAV21WS T3 T2 T3 A8 A8 T3 T2 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol VRM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage VRWM Working Peak Reverse Voltage VR(RMS) Value Parameter BAV19WS BAV20WS BAV21WS 120 200 250 100 150 200 71 106 141 RMS Reverse Voltage Unit V V V Average Rectified Output Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 2.0 A PD Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ IO RΘJA ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse current IR Forward voltage VF Total capacitance Ctot Reverse recovery time www.cj-elec.com Test conditions Symbol trr Min Typ Max VR=100V BAV19WS 0.1 VR=150V BAV20WS 0.1 VR=200V BAV21WS 0.1 IF=100mA 1 IF=200mA 1.25 Unit uA V VR=0V,f=1MHz 5 pF IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR , RL=100Ω 50 ns 1 E,Mar,2015 PDF
Документация на BAV19WS 

Author: Administrator

Дата модификации: 04.03.2015

Размер: 667.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)