BCW66

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BCW66 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complementary to BCW68 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR BCW66 is subdivided into three groups F,G and H according to DC current gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MMBT1616A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
A+ MMBT1616A SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 100 шт
 
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ BCW66F (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
1200 шт
 
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
A+ FMMT491 (JSCJ)
 

FMMT491 (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ FMMT491 SOT-23 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ FMMT493 (JSCJ)
 

FMMT493 (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
 
A+ BSR43 SOT-89-3L (JSCJ)
 
25 шт
 
A+ 2SD1615 (SHIKUES)
 
 
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BCW66 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complementary to BCW68 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR BCW66 is subdivided into three groups F,G and H according to DC current gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 800 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max IC= 10μA, IE=0 75 V V(BR)CEO IC= 10mA, IB=0 45 V 5 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=45 V, IE=0 0.02 Collector cut-off current IEBO VEB=4 V, IC=0 0.02 Emitter-base breakdown voltage Unit VCE=10V, IC=0. 1mA BCW66F BCW66G BCW66H VCE=1V, IC= 10mA BCW66F BCW66G BCW66H BCW66F BCW66G BCW66H BCW66F BCW66G BCW66H hFE1 hFE2 DC current gain VCE=1V, IC=100mA hFE3 VCE=2V, IC=500mA hFE4 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Base-emitter saturation voltage VBE(sat) Transition frequency Output capacitance Input capacitance Noise figure 35 50 80 75 110 180 100 160 250 35 60 100 V μA μA 250 400 630 IC=100mA, IB=10mA 0.3 V IC=500mA, IB=50mA 0.7 V IC=500mA, IB=50mA 2 V VCE=10V,IC=20mA,f=100MHz fT Cob Cib VCB=10V,IE=0,f=1MHz 12 pF VEB=0.5V,IE=0,f=1MHz 80 pF NF VCE=5V,IC=0.2mA,f=1KHz, Rs=1KΩ,BW=200Hz 10 dB 100 MHz MARKING Rank Range Marking www.jscj-elec.com F 100-250 EF G H 160-400 EG 250-630 EH 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BCW66 

Microsoft Word - BCW66_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 779.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.