CJ3134KDW
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs
CJ3134KDW
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-363
380mΩ@ 4.5V
6
450mΩ@ 2.5V
0.75A
20 V
5
4
800mΩ@1.8V
1
2
3
FEATURE
Lead Free Product is Acquired
Surface Mount Package
N-Channel Switch with Low RDS(on)
Operated at Low Logic Level Gate Drive
Equivalent to Two CJ3134K
MARK...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-6 SOT363
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-6 SOT363 | |
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ3134KDW
Microsoft Word - CJ3134KDW SOT-363 A.doc
Дата модификации: 12.06.2017
Размер: 2.7 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.