CJ3439KDW

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 380mΩ@ 4.5V 20 V 450mΩ@ 2.5V 0.75A 800mΩ@1.8V 520mΩ@-4.5V -20 V 700mΩ@-2.5V -0.66A 950mΩ(TYP)@-1.8V FEATURE z Surface Mount Package z Low RDS(on) z Operated at Low Logic Level Gate Drive z ESD Protected Gate z Including a N-ch CJ3...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ3439KDW

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM02DH08D (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт — — — — — —
A+ WM02DH08T (WAYON)
 
SOT-563 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3439KDW N channel+P Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-363 380mΩ@ 4.5V 20 V 450mΩ@ 2.5V 0.75A 800mΩ@1.8V 520mΩ@-4.5V -20 V 700mΩ@-2.5V -0.66A 950mΩ(TYP)@-1.8V FEATURE z Surface Mount Package z Low RDS(on) z Operated at Low Logic Level Gate Drive z ESD Protected Gate z Including a N-ch CJ3134K and a P-ch CJ3139K (independently) In a Package APPLICATION z Load/ Power Switching z Interfacing Switching z Battery Management for Ultra Small Portable Electronics z Logic Level Shift Equivalent Circuit MARKING D1 6 1 S1 G2 5 2 G1 S2 4 3 D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-MOSFET Drain-Source Voltage VDS 20 V Typical Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current (note 1) ID 0.75 A Pulsed Drain Current (tp=10us) IDM 1.8 A Drain-Source Voltage VDS -20 V Typical Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current (note 1) ID -0.66 A Pulsed Drain Current (tp=10us) IDM -1.2 A RθJA 833 ℃/W P-MOSFET Temperature and Thermal Resistance Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ TL 260 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJ3439KDW 

Microsoft Word - CJ3439KDW SOT-363 A-1

Дата модификации: 25.04.2019

Размер: 2.64 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)