CJ7252KDW

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET V(BR)DSS 60 V RDS(on)MAX ID SOT-363 5Ω@10V 5.3Ω@4.5V 0.34A 8Ω@-10V -50 V 10Ω@-5V -0.18A DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE z High-Side Switching z Low Thre...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ3439KDW

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ7252KDW N Channel + P Channel Power MOSFET V(BR)DSS 60 V RDS(on)MAX ID SOT-363 5Ω@10V 5.3Ω@4.5V 0.34A 8Ω@-10V -50 V 10Ω@-5V -0.18A DESCRIPTION This N Channel + P Channel MOSFET has been designed using advanced power trench process to optimize the RDS(ON). FEATURE z High-Side Switching z Low Threshold z Fast Switching Speed APPLICATION z Drivers:Relays, Solenoids, Memories z Battery Operated Systems z Power Supply Converter Circuits z Load/Power Switching Cell Phones, Pagers MARKING: 75 Equivalent Circuit D1 6 G2 5 S2 4 1 2 3 S1 G1 D2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit N-Channel MOSFET VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Drain Current -Continuous 0.34 A Drain Current - Pulsed(Note1) 1.36 A ID IDM P- Channel MOSFET VDS Drain-Source Voltage -50 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V -0.18 A -0.7 A Power Dissipation 0.15 W Thermal Resistance from Junction to Ambient (Note2) 833 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ 260 ℃ ID IDM Drain Current -Continuous Drain Current – Pulsed (Note1) Power Dissipation, Temperature and Thermal Resistance PD RθJA TL Lead Temperature www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJ7252KDW 

Microsoft Word - CJ7252KDW SOT-363 A-1.doc

Дата модификации: 17.03.2016

Размер: 3.69 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)