MMBT2907A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907A TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES z z Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1. BASE Marking: 2F 2. EMITTER 3. COLLECTOR Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. 2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2907A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT2907A (SHIKUES)
 
SOT-23-3 1500 шт
 
 — — — —
P= MMBT2907AQ (YJ)
 
—
 
 — — — —
P= S-LMBT2907ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
A+ BC857CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857CT (YJ)
 
SOT-523 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC857 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858BW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC858AWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ 2SA1037-R (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SA1037-Q (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ 2SA1037-S (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858BWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC858CQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SA1576A-Q (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907A TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES z z Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1. BASE Marking: 2F 2. EMITTER 3. COLLECTOR Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. 2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V VCBO Collector-Base Voltage -60 VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -600 mA PD Total Device Dissipation 250 mW RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 500 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=-10mA,IB=0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -20 nA Base cut-off current IEBO VEB=-3V, IC =0 -10 nA Collector cut-off current ICEX VCE=-30 V, VBE(off) =-0.5V -50 nA hFE(1) VCE=-10V,IC=-150mA 100 hFE(2) VCE=-10V,IC=-0.1mA 75 hFE(3) VCE=-10V,IC=-1mA 100 hFE(4) VCE=-10V,IC=-10mA 100 hFE(5) VCE=-10V,IC=-500mA 50 VCE(sat)* IC=-150mA,IB=-15mA -0.4 V VCE(sat)* IC=-500mA,IB=-50mA -1.6 V VBE(sat)* IC=-150mA,IB=-15mA -1.3 V VBE(sat)* IC=-500mA,IB=-50mA -2.6 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=-20V,IC=-50mA,f=100MHz VCE=-30V,IC=-150mA,B1=-15mA VCE=-6V,IC=-150mA, IB1=- IB2=- 15mA 300 200 MHz 10 ns 25 ns 225 ns 60 ns * pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT2907A 

Microsoft Word - MMBT2907A_SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.10.2021

Размер: 1.27 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)