MMBT5401

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES  Complementary to MMBT5551  Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: 2L 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emitter Volta...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5401 (YOUTAI)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR) 		— 450 шт
 
 — — — —
P= FMMT593 (JSCJ)
 

FMMT593 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= LMBT5401LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
P= MMBT5401 (SHIKUES)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBT5401 (YJ)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857CT (YJ)
 
SOT-523 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC856B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC856BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC856A (YJ)
 

BC856A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC856 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2907A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858AWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ MMBT3906 (JSCJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC857W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC857 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA56 (YJ)
 

MMBTA56 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT4403 (YJ)
 

MMBT4403 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC856W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC858BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES  Complementary to MMBT5551  Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: 2L 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -0.6 A PC Collector Power Dissipation 0.3 W Thermal Resistance from Junction to Ambient 416 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol V(BR)CBO * Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO Collector cut-off current ICBO Emitter cut-off current IEBO DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Test conditions Min Typ Max Unit IC=-100µA, IE=0 -160 V IC=-1mA, IB=0 -150 V IE=-10µA, IC=0 -5 V VCB=-120V, IE=0 -0.1 μA VEB=-4V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) * VCE=-5V, IC=-1mA 80 hFE(2) * VCE=-5V, IC=-10mA 100 hFE(3) * VCE=-5V, IC=-50mA 50 300 VCE(sat)1 * IC=-10mA, IB=-1mA -0.2 V VCE(sat)2 * IC=-50mA, IB=-5mA -0.5 V VBE(sat)1 * IC=-10mA, IB=-1mA -1 V VBE(sat)2 * IC=-50mA, IB=-5mA -1 V Transition frequency fT VCE=-5V,IC=-10mA, f=30MHz 100 MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE (2) www.jscj-elec.com RANK L H RANGE 100-200 200-300 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT5401 

Microsoft Word - SOT-23 MMBT5401 .doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 653 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)