PZT2907A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZT2907A TRANSISTOR (PNP) FEATURES y y SOT-223 Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(PZT2222A) MARKING: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ Symbol unless otherwise noted) Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= LBTP180Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
P= PZT2907A (SHIKUES)
 

PZT2907A (ONS-FAIR) 		SOT-223
 
 — — — —
P= BCX53-16 (SHIKUES)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
 — — — —
P= BCX53-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 32000 шт
 
 — — — —
P= BCX53 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
P= BCP53 (JSCJ)
 

BCP53 (ONS-FAIR) 		SOT-223 в ленте 2500 шт — — — —
P= BCP53-16 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 500 шт — — — —
P= BCX53 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
 — — — —
P= S-LBTP180Z4TZHG (LRC)
 
SOT-223
 
 — — — — — — — — — — —
P= AD-BCP53-16 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
P= AD-BCP51-16 (JSCJ)
 
SOT-223 50 шт — — — —
P= BCP52-16 (JSCJ)
 
SOT-223 32 шт — — — —
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ MMDT2907A (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
 — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZT2907A TRANSISTOR (PNP) FEATURES y y SOT-223 Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(PZT2222A) MARKING: 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ Symbol unless otherwise noted) Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO IC Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous -5 -0.6 V A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -10 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -50 nA hFE(1) VCE=-10V,IC=-0.1mA 75 hFE(2) VCE=-10V,IC=-1mA 100 hFE(3) VCE=-10V,IC=-10mA 100 hFE(4) VCE=-10V,IC=-150mA 100 hFE(5) VCE=-10V,IC=-500mA 50 VCE(sat) IC=-150mA,IB=-15mA -0.4 V VCE(sat) IC=-500mA,IB=-50mA -1.6 V VBE(sat) IC=-150mA,IB=-15mA -1.3 V VBE(sat) IC=-500mA,IB=-50mA -2.6 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 300 Transition frequency fT VCE=-20V,IC=-50mA,f=100MHz Collector Cc VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 8 pF Emitter capacitance CE VEB=-2V,IC=0,f=1MHz 30 pF Delay time td 12 ns Rise time tr 30 ns 300 ns 65 ns capacitance Storage time tS Fall time tf www.jscj-elec.com IC=-150mA IB1=- IB2=- 15mA 1 200 MHz Rev. - 2.1 PDF
Документация на PZT2907A 

Microsoft Word - PZT2907A _SOT-223_.doc

Дата модификации: 04.09.2020

Размер: 853.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)