AP2012P3C-P22
AP2012P3C-P22
2.0 x 1.25 mm Phototransistor
DESCRIPTION
z
PACKAGE DIMENSIONS
Made with NPN silicon phototransistor chips
FEATURES
z
z
z
z
z
2.0 mm x 1.25 mm SMD LED, 1.1 mm thickness
Mechanically and spectrally matched to the infrared
emitting LED lamp
Water clear lens
Package: 2000 pcs / reel
Moisture sensitivity level: 3
RoHS compliant
tia
l
z
APPLICATIONS
z
z
z
on
fid
en
z
Infrar...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Фототранзистор
- Корпус: SMD080520X125MM
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьλ максимальной чувствительности | ||
---|---|---|
Спектральная область чувствительности | ||
Поле зрения | ||
Максимальный ток коллектора | ||
Примечания | поверхностный; 0805 (2012 Metric) |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AP2012P3C-P22
AP2012P3C-P22(Ver.5)
Дата модификации: 08.04.2019
Размер: 565 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.