DFS02FB12HDB1

Leapers
DFS02FB12HDB1 1200V/800A 3 Phase SiC MOSFET Module Description Features The DFS02FB12HDB1 is a 3 Phase SiC MOSFET Power Module. It integrates high performance SiC MOSFET chips for xEV or motor drives application.         Blocking voltage 1200V RDS(on) =1.7m(Tj =25°C) ArcbondingTM technology 175°C maximum junction temperature Si3N4 AMB substrate Direct Cooled Pin Fin Base Plate The...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид серии HPD

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
DFS02FB12HDB1 1200V/800A 3 Phase SiC MOSFET Module Description Features The DFS02FB12HDB1 is a 3 Phase SiC MOSFET Power Module. It integrates high performance SiC MOSFET chips for xEV or motor drives application.         Blocking voltage 1200V RDS(on) =1.7m(Tj =25°C) ArcbondingTM technology 175°C maximum junction temperature Si3N4 AMB substrate Direct Cooled Pin Fin Base Plate Thermistor inside Press FIT Contact Technology Applications   xEV Applications Motor Drives Circuit diagram Figure 1. Out drawing & circuit diagram for DFS02FB12HDB1 www.leapers-power.com Preliminary datasheet _Ver.B EN 1/12 PDF
Документация на DFS02FB12HDB1 

DFS02FB12HDB1 ver A

Дата модификации: 28.04.2023

Размер: 2.34 Мб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PM731060DT-DT (CHIPOWN)