L8550HRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L8550HPLT1G Series FEATURE 3 ƽHigh current capacity in compact package. ƽEpitaxial planar type. 1 ƽPNP complement: L8550H 2 ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device COLLECTOR 3 Shipping Marking L8550HPLT1G 1HB 3000/Tape&R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PMMT591A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= SS8550-M (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= SS8550-L (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= L8550HPLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
P= L8550HQLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.