NCE1502R

NCE
Pb Free Product NCE1502R http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features ● VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=10V (Typ:260mΩ) ● High density cell d...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMT04N15T1 (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —
A+ NCE0203S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ LN05N15TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ NCE1504R (NCE)
 
SOT-223 ± — — — —
A+ NCE0202ZA (NCE)
 
TO-92-3 ± — — — —
A+ NCE0202M (NCE)
 
SOT-89 10 шт ± — — — —
A+ CJT04N15 (JSCJ)
 
SOT-223 10 шт ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE1502R http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE1502R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features ● VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=10V (Typ:260mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits SOT-223-3L view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE1502R NCE1502R SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 2 A IDM 6 A PD 2 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 62.5 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 150 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=150V,VGS=0V - - 1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE1502R 

Microsoft Word - NCE1502R.doc

Дата модификации: 24.08.2016

Размер: 295.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)