NCE20TD60B

Pb Free Product NCE20TD60B 600V, 20A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperatu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG120X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в ленте 30 шт
 
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A- DG20X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 300 шт
 
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 90 шт
 
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A- DGP10N60CTL (YJ)
 
 
A- DGW15N120CTL (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW25N120CTL (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW30N65BTH (YJ)
 
TO-247-3 в ленте 50 шт
A- DGW40N120CTL (YJ)
 
20 шт
A- DGW50N65BTH (YJ)
 
50 шт
A- DGW50N65CTL1 (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW60N65BTH (YJ)
 
A- DGW75N65CTL1 (YJ)
 
12 шт
A- DG20X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE20TD60B 600V, 20A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperature coefficient in VCE(sat)  Very tight parameter distribution  High ruggedness, temperature stable behavior Schematic diagram Application  Air Condition  Inverters  Motor drives Package Marking and Ordering Information Device Device Package Device Marking NCE20TD60B TO-220 NCE20TD60B TO-220 Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate- Emitter Voltage ±30 V Collector Current 40 A Collector Current @TC = 100 °C 20 A Pulsed Collector Current,tp limited by Tjmax 60 A - turn off safe operating area,VCE=600V, TJ=175°C 60 A IF Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C 20 A IFM Diode Maximum Forward Current 60 A Power Dissipation @ TC = 25°C 163 W Power Dissipation @TC = 100 °C 81.5 W -55 to +175 °C 260 °C 5 us IC ICpuls PD TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering tsc Short circuit withstand time VGE=15V, VCC≤400V, Allowed number of short circuits<1000Time between short circuits:≥1.0s,Tj≤150°C Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.2 PDF
Документация на NCE20TD60B 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 29.03.2023

Размер: 1.07 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.