NCE2312A
Pb Free Product
NCE2312A
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
The NCE2312A uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
S
General Features
Schematic diagram
● VDS = 2...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJ8810 (JSCJ) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P- | JMTL2312A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | YJL2312A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| P- | IRLML6244TR (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | WM02N28M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WM02N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | CRTJ200N02U2-G (CRMICRO) | SOT-23-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02DN095C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | CJK8804 (JSCJ) | SOT233L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJ8820 (JSCJ) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJ3420 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 5 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | WM4C62160A (WAYON) | — |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02N75M2 (WAYON) | SOT233L | 1 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WM02DN70M3 (WAYON) | SOT236 |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02DN70A (WAYON) | TSSOP-8 |
|  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WM02DN50M3 (WAYON) | SOT236 |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJL3416A (YJ) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WM02DN085C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02DN60M3 (WAYON) | SOT236 |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJS10N02A (YJ) | SO-8 SOIC8 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJL2312AQ (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJL2312AL (YJ) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | YJH10N02A (YJ) | SOT-89 | в ленте 100 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | WMR09N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WM02DN080C (WAYON) | DFN62X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WM02N70M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B |  |  |  |  |  |  |  | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE2312A
Microsoft Word - NCE2312A.doc
Дата модификации: 07.04.2020
Размер: 270.8 Кб
8 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.