NCE3400X

NCE3400X http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE3400X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S General Features Schematic diagram ● VDS = 30V,ID = 5.1A RDS(...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P- IRLML6346TR (YOUTAI)
 
30 шт
 
P- CRTJ250N03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- JMTL3402A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3402 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- YJL2304B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO4466 (YOUTAI)
 
200 шт
 
A+ CJU4410 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ IRLML6344TRPBF (KLS)
 

IRLML6344TRPBF (INFIN)
1 шт
 
A+ CJK3400AH (JSCJ)
 
SOT233L 5 шт
 
±
A+ JMTJ3400A (JIEJIE)
 
SOT233L 3000 шт
 
A+ CJMN3010 (JSCJ)
 
 
±
A+ FK8V03040L (PAN)
 
WMini8-F1
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
в ленте 3000 шт
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ YJL3400AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ WMR10N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2
 
A+ YJQ3400A (YJ)
 
DFN2020-6L
 
A+ CJQ4406 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
A+ YJJ3400A (YJ)
 
 
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3404AQ (YJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE3400X http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE3400X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S General Features Schematic diagram ● VDS = 30V,ID = 5.1A RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 39mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 33mΩ @ VGS=10V ● High power and current handing capability Marking and pin assignment ● Lead free product is acquired ● Surface mount package ● PWM applications ● Load switch SOT-23 top view ● Power management Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 3400X Ḃ NCE3400X SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 5.1 A IDM 20 A PD 1.3 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 96 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 30 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE3400X 

Microsoft Word - NCE3400X data sheet1.doc

Дата модификации: 26.01.2021

Размер: 298.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.