NCEP6090AGU

NCEP6090AGU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP6090AGU uses Super Trench technology that is ● VDS =60V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimiz...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ JMSL0602AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0602AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMB100N07TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WML100N07TS (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP6090AGU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP6090AGU uses Super Trench technology that is ● VDS =60V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=3.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) high-frequency switching and synchronous rectification. ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter ● Pb-free lead plating ● Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! rectification DFN 5X6 Top View Bottom View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P6090AGU NCEP6090AGU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 90 A ID (100℃) 63.6 A Pulsed Drain Current IDM 360 A Maximum Power Dissipation PD 100 W 0.8 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.25 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP6090AGU 

Microsoft Word - NCEP6090AGU data sheet.doc

Дата модификации: 29.07.2021

Размер: 352.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.