EE-SJ3-G

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 3.4 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSR OPTO SLOT 3.4MM TRANS THRU
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ3 Series Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • High-resolution model with a 0.2-mm-wide sensing aperture, highsensitivity model with a 1-mm-wide sensing aperture, and model with a horizontal sensing aperture are available. 0.3 Center mark ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 6.2 Item 0.2 Pulse forward current 10.2 Detector 7.2±0.2 6 Four, 0.5 Four, 0.25 2.54±0.2 Ambient temperature Model Internal Circuit K C Aperture (a x b) EE-SJ3-C EE-SJ3-D 2.1 x 1.0 2.1 x 0.2 EE-SJ3-G 0.5 x 2.1 Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. A E Terminal No. A K C E Name Anode Cathode Collector Emitter Dimensions Tolerance 3 mm max. ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 ±0.65 IFP 1 A (see note 2) 4V Collector–Emit- VCEO ter voltage 30 V Emitter–Collec- VECO tor voltage --20 mA IC 100 mW (see note 1) Collector dissi- PC pation Cross section AA Rated value 50 mA (see note 1) Reverse voltage VR Collector current 7.6±0.3 Cross section BB Symbol Forward current IF Emitter Operating Topr Storage Tstg –30°C to 100°C Tsol 260°C (see note 3) Soldering temperature –25°C to 85°C Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Value EE-SJ3-C Emitter Detector Condition EE-SJ3-G Forward voltage VF 1.2 V typ., 1.5 V max. IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 μA typ., 10 μA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 940 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 1 to 28 mA typ. Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. Peak spectral sensitivity λP wavelength 0.1 mA min. --- 0.5 to 14 mA 0.1 V typ., 0.4 V max. IF = 20 mA, VCE = 10 V IF = 20 mA, IL = 0.1 mA 850 nm typ. VCE = 10 V VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Rising time tr 4 μs typ. Falling time tf 4 μs typ. 110 EE-SJ3-D EE-SJ3 Series Photomicrosensor (Transmissive) PDF
Документация на серию EE-SJ3 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 106.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)