EE-SY169A

Omron
Датчик положения оптический - Режим: отражение; Выход: фототранзистор; Расстояние: 4 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SY169A

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSR OPTO TRANS 4MM REFL TH PCB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Reflective) EE-SY169A Be sure to read Precautions on page 25. ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • High-quality model with plastic lenses. • Highly precise sensing range with a tolerance of ±0.6 mm horizontally and vertically. • Convergent reflective model with infrared LED. ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Emitter Surface A 1±0.1 dia. Two, C0.2 1±0.1 dia. Detector (see note) (see note) Internal Circuit A C K E Note: These dimensions are for the surface A. Other lead wire pitch dimensions are for the housing surface. Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. Dimensions Terminal No. A K C E Ambient temperature Name 3 mm max. ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 ±0.65 Rated value IF 50 mA (see note 1) Pulse forward current IFP 1A (see note 2) Reverse voltage VR 3V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 100 mW (see note 1) Operating Topr 0°C to 70°C Storage Tstg –20°C to 80°C Tsol 260°C (see note 3) Soldering temperature Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. Tolerance Anode Cathode Collector Emitter Symbol Forward current ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Symbol Value Condition Forward voltage VF 1.5 V max. Reverse current IR 10 μA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 920 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 160 μA min., 2,000 μA max. IF = 20 mA, VCE = 5 V White paper with a reflection ratio of 90%, d = 4 mm (see note) Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 5 V, 0 lx Leakage current ILEAK 2 μA max. IF = 20 mA, VCE = 5 V with no reflection --- --- 850 nm typ. VCE = 5 V Collector–Emitter saturated volt- VCE (sat) age Peak spectral sensitivity wavelength λP IF = 30 mA Rising time tr 30 μs typ. VCC = 5 V, RL = 1 kΩ, IL = 1 mA Falling time tf 30 μs typ. VCC = 5 V, RL = 1 kΩ, IL = 1 mA Note: The letter “d” indicates the distance between the top surface of the sensor and the sensing object. 156 EE-SY169A Photomicrosensor (Reflective) PDF
Документация EE-SY169A 

Micro Sensing Device Data Book

Дата модификации: 15.06.2009

Размер: 108.8 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0611S (KGB)