2SC5440

Panasonic Industrial Europe GmbH
Power Transistors 2SC5440 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d φ 3.2±0.1 (23.4) (4.5) 26.5±0.5 (2.0) (1.2) 0.7±0.1 Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 1 500 V Collector-emitter voltage (E-B short) VCES 1 500 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 600 V Emitter-base voltage (Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3 TO-220AB
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Power Transistors 2SC5440 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit: mm M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d φ 3.2±0.1 (23.4) (4.5) 26.5±0.5 (2.0) (1.2) 0.7±0.1 Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 1 500 V Collector-emitter voltage (E-B short) VCES 1 500 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 600 V Emitter-base voltage (Collector open) VEBO 7 V Base current IB 7.5 A Collector current IC 15 A ICP 25 A PC 60 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg −55 to +150 °C 10.9±0.5 5˚ 1 2 5.5±0.3 Unit Ta = 25°C 5˚ 1.1±0.1 3 (2.0) Rating 3.3±0.3 Symbol Collector power dissipation 5˚ 5˚ 5.45±0.3 Parameter Peak collector current (4.0) 2.0±0.2 18.6±0.5 (2.0) Solder Dip ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C * 3.0±0.3 5˚ d p lan inc ea se ed lud p lan m m es ht visi tp t f ed ain ain foll :// ol d d te te ow ww lo is is na n i w. win con con nce anc ng f se g U tin tin t e ou m R ue ue yp typ r P ico L d d e e ro n. ab typ ty du pa ou e pe ct d na t l life so ate cy nic st cle .co inf sta .jp orm ge /e a n/ tio . n. • High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer • High-speed switching • Wide safe operation area (ASO) (10.0) ■ Features 5˚ 22.0±0.5 15.5±0.5 1: Base 2: Collector 3: Emitter EIAJ: SC-94 TOP-3E-A1 Package 3.0 tin ue Note) *: Non-repetitive peak collector current Parameter Di sc on ■ Electrical Characteristics TC = 25°C ± 3°C nc e/ Collector-base cutoff current (Emitter open) Symbol ICBO Conditions Min Typ Max Unit VCB = 1 000 V, IE = 0 50 µA VCB = 1 500 V, IE = 0 1 mA 50 µA 9  IEBO VEB = 7 V, IC = 0 Forward current transfer ratio hFE VCE = 5 V, IC = 7.5 A Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 7.5 A, IB = 1.88 A 3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC = 7.5 A, IB = 1.88 A 1.5 V M ain te na Emitter-base cutoff current (Collector open) 5 fT VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz Storage time tstg IC = 7.5 A, Resistance loaded 2.7 µs Fall time tf IB1 = 1.88 A, IB2 = −3.76 A 0.2 µs Pl Transition frequency 3 MHz Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors. Publication date: February 2003 SJD00146BED 1 PDF
Документация на 2SC5440 

2SC5440 SJD00146BED

Дата модификации: 29.11.2011

Размер: 195.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)