2SJ0674G0L

Panasonic Industrial Europe GmbH
MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SSSMini3-F2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ0674 Silicon P-channel MOS FET For switching circuits  Package  Low ON resistance Ron  High-speed switching  SSSMini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing  Code SSSMini3-F1  Pin Name 1: Gate 2: Source 3: Drain ue pl d in ea an c se ed lud pl vi an m m es si tf ed ain ai fo ol t n l ht low disc dis ena ten low tp in o co n an in :// g nt n ce c g pa U in tin t e fo na RL ue ue ype typ ur so a d t d e Pr od t ni bo yp yp c. u e e uc ne t l d tl ife t/s ate cy c/ st en in cl e fo st rm ag at e. io n. M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d  Features  Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Symbol Rating Unit Drain-source surrender voltage VDSS -30 V Gate-source surrender voltage VGSS ±12 V ID -100 mA IDP -200 mA PD 100 mW Tch 125 °C Tstg –55 to +125 °C Drain current Peak drain current Power dissipation Channel temperature Storage temperature  Marking Symbol: 5U  Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C Parameter Symbol Drain-source surrender voltage Drain-source cutoff current Gate-source cutoff current is D e/ Short-circuit input capacitance (Common source) VDS = -20 V, VGS = 0 -1.0 mA IGSS VGS = ±10 V, VDS = 0 ±10 mA VTH ID = -1.0 mA, VDS = -3.0 V -1.0 -1.5 V ID = -10 mA, VGS = -2.5 V 13 30 ID = -10 mA, VGS = -4.0 V 9 18 Yfs ID = -10 mA, VDS = -3 V, f = 1 kHz - 0.5 20 an c en ai nt VDS = -3 V, VGS = 0, f = 1 MHz M Crss Turn-on time * Turn-off time IDSS Coss Reverse transfer capacitance (Common source) * Unit V -30 Ciss Short-circuit output capacitance (Common source) Max ID = -10 mA, VGS = 0 RDS(on) Forward transfer admittance Typ W 40 mS 12 pF 13 pF 7 pF Pl Drain-source ON resistance Min VDSS co nt in Gate threshold voltage Conditions ton VDD = -3 V, VGS = 0 V to -3 V, ID = -10 mA 300 ns toff VDD = -3 V, VGS = -3 V to 0 V, ID = -10 mA 400 ns Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors. 2. * : ton , toff measurement circuit VGS VOUT 10% 280 Ω 90% VGS = 0 V to −3 V 50 Ω 100 µF VDD = −3.0 V 90% 10% VOUT ton Publication date: May 2008 SJF00045BED toff 1 PDF
Документация на 2SJ067400L 

2SJ0674 SJF00045BED

Дата модификации: 26.03.2009

Размер: 298.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)