AQW612EHA
PhotoMOS
GE
1 Form A & 1 Form B
Both N.O. and N.C. contacts incorporated in a compact DIP8-pin Reinforced insulation
FEATURES
9.78
9.78
6.4
60V type couples high capacity (0.5A) with low on‐
resistance (Typ. 1Ω)
Reinforced insulation 5,000 V
Approx. 1/2 the space compared with the mounting
area of a set of 1 Form A and 1 Form B PhotoMOS
Applicable for 1 Form A and 1 Form B use as well...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Реле твердотельные
- Серия: AQW612
- Корпус: DIP-8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DIP-8 | |
---|---|---|
Тип входа | ||
Сопротивление открытого канала | ||
Ток коммутации | ||
Напряжение изоляции | ||
Примечание | Transistor Output SSR, 2-Channel, 5000V Isolation |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Конфиг | Uвх | Вход | Выход | Uкомм(DC) | Rоткр | IDC | ISOL | Семейство | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | AQW612EHAX (PAN) | — | — | — | — | — | — | — | Transistor Output SSR, 2-Channel, 5000V Isolation |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AQW612EHA
GE 1 Form A & 1 Form B
Дата модификации: 20.10.2020
Размер: 684.6 Кб
15 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.