MTMC8E2A0LBF
Doc No. TT4-EA-12100
Revision. 2
Product Standards
MOS FET
MTMC8E2A0LBF
MTMC8E2A0LBF
Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Typ
Unit: mm
2.9
For lithium-ion secondary battery protection circuit
0.3
8
7
6
5
1
2
3
4
0.16
2.4
2.8
Features
Low drain-source On-state Resistance
RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V)
Halogen-free / RoHS compliant
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — |
---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.