RU20P4C6
Ruichi
RU20P4C6
P-Channel Advanced Power MOSFET
Features
Pin Description
• -20V/-4A,
S
RDS (ON) =35mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V
RDS (ON) =45mΩ(Typ.)@VGS=-2.5V
• Low On-Resistance
• Super High Dense Cell Design
• Reliable and Rugged
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
D
D
G
D
D
SOT23-6
D
Applications
pp
• Load Switch
• Power Management
• Battery Protection
G
S
P Channel MOSFET
P-Ch...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-6
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.