RU40120S

Ruichi
RU40120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 40V/120A, D RDS (ON) =3.5mΩ(Typ.)@VGS=10V • Super High Dense Cell Design • Ultra Low On-Resistance • 100% avalanche tested • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications • DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Rating Unit Common Ratings (...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-263-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ CJAC200SN04U (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NCE40H21 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.