HVC376B

Shikues
HVC376B VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON TYP Application ·VCO、VCO’S mobile communications equipment ·FM and AFC in communication set Features ·Excellent linearity ·Hing Capacitance ratio:C1v/c4v > 4.3 ·Low series resistance: rs≤0.8Ω ·package:SOD-523 Maximum ratings Parameter Symbo1 Min Assignment Temperature Range Storage Temperature Range Maximum Reverse voltage Junction Temperature...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Емкость
Напряжение обратное
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
HVC376B VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON TYP Application ·VCO、VCO’S mobile communications equipment ·FM and AFC in communication set Features ·Excellent linearity ·Hing Capacitance ratio:C1v/c4v > 4.3 ·Low series resistance: rs≤0.8Ω ·package:SOD-523 Maximum ratings Parameter Symbo1 Min Assignment Temperature Range Storage Temperature Range Maximum Reverse voltage Junction Temperature Forward voltage(IF=20mA) Tamb Tatg VRM Tj VF -55 -55 Rating Max Unit 100 125 10 125 1 ℃ ℃ V ℃ V Electrical Characteristics(at Tamb=25℃) Tamb=25 Parameter Diode capacitance Diode capacitance Capacitance ratio Reverse Current Forward Voltage serises resistance REV.08 Symbo1 Test Conditions Min C1 C2 C1/C2 IR VF rs VR1=1V VR2=28v VR1=1V,VR2=28V VR=30V IF=20mA F=470MHz,C0=14pF 24.5 4.8 4.3 1 of 2 Typ Max Unit 29 6.8 PF PF 10 1 0.8 nA V Ω PDF
Документация на HVC376B 

Subject:

Дата модификации: 13.12.2024

Размер: 439.6 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1S2638 (SHIKUES)