MJD340

Shikues
MJD340 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2 APPLICATIONS 1 SOLENOID/RELAY DRIVERS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER 3 TO-252 1.Base 2. Collector 3.Emitter TO-252 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 300 V Collector Emitter Voltage VCEO 300 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V IC 0.5 A PC 625 mW Tj 150 O...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MJD340 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2 APPLICATIONS 1 SOLENOID/RELAY DRIVERS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER 3 TO-252 1.Base 2. Collector 3.Emitter TO-252 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 300 V Collector Emitter Voltage VCEO 300 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V IC 0.5 A PC 625 mW Tj 150 O TStg - 55 to + 150 O Collector Current Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Collector Base Cutoff Current at VCB = 35 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 6 V Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 2 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 100 µA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA Base Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA DC Current Gain at VCE = 10 V, IC = 10 mA Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 50 mA REV.08 1 of 3 C C Symbol Min. Typ. Max. Unit ICBO - - 0.5 μA IEBO - - 0.5 μA V(BR)CBO 300 - - V V(BR)CEO 300 - - V V(BR)EBO 5 - - V VCE(sat) - - 0.5 V VBE(sat) - - 1.0 V hFE 60 fT 50 300 - - MHz PDF
Документация на MJD340 

Microsoft Word - 8050U

Дата модификации: 10.06.2022

Размер: 461.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)