MMBT3906

MMBT3906 PNP TRANSISTOR FEATURES • As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended • Epitaxial planar die construction MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless other wise noted) Parameter Collector–Base Voltage Collector–Emitter Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Collector Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Operation Junction and Storage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMST3906 (JSCJ)
 
3000 шт
P= MMBT3906 (JSCJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT3906 (UTC)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= LMBT3906LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
P= MMBT3906G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
P= MMBT3906W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
A+ BC858BW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858AWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC858BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858AT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858BWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858CWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ 2SB1188-Q (YJ)
 
SOT-89
 
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
A+ BC858A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC858AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858CQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858A (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
MMBT3906 PNP TRANSISTOR FEATURES • As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended • Epitaxial planar die construction MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless other wise noted) Parameter Collector–Base Voltage Collector–Emitter Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Collector Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Symbol Value Unit V CBO V CEO V EBO IC PC -40 -40 -5 -0.2 0.2 V V V A W R thJA 625 ℃/W T J ,T stg -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10uA, I E = 0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1 mA, I B = 0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10uA, I C = 0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-40V, I E = 0 Collector cut-off current I CEX Emitter cut-off current -100 nA V CE =-30V, V CE =-3V -50 nA I EBO V EB =-5V, I C = 0 -100 nA h FE1 V CE =-1V, I C =-10mA 100 h FE2 V CE =-1V, I C =-50mA 60 h FE3 V CE =-2V, I C =-100mA 30 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA V C E =-20V, I C =-10mA, f=100MHz -0.95 V DC current gain Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time ts Fall time tf REV.08 1 of 3 V CC =-3V, V BE =-0.5V I C =-10mA,I B1 = I B2 =- 1mA V CC =-3V, I C =-10mA I B1 = I B2 =- 1mA 300 MHZ 300 35 ns 35 ns 225 ns 75 ns PDF
Документация на MMBT3906 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 16.12.2022

Размер: 2.15 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.