2SA1020G-Y-AB3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SA1020
PNP SILICON TRANSISTOR
SILICON PNP EPITAXIAL
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and power
switching applications.
FEATURES
*Low collector saturation voltage:
VCE(SAT)=-0.5V(MAX) (IC= -1A)
*High speed switching time: tSTG=1.0μs(TYP)
*Complement to UTC 2SC2655
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: 2SA1020
- Корпус: —
- Норма упаковки: 4000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2SA1020G-Y-AB3-R
Creator: PScript5.dll Version 5.2.2
Дата модификации: 25.10.2021
Размер: 648.8 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.