2SC1815GR

UTC
Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UTC 2SC1815 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR FEATURES *Collector-Emitter voltage: BVCEO=50V *Collector current up to 150mA * High hFE linearity *complimentary to 2SA1015 1 TO-92 1:EMITTER 2:COLLECTOR 3. BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified ) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT VCBO VCEO VEBO Pc Ic IB Tj TSTG 60 50 5 400 150 50 125 -55 ~ +150 V V V mW mA mA °C °C Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector dissipation(Ta=25°C) Collector current Base current Junction Temperature Storage Temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C,unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain(note) ICBO IEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) fT Cob NF VCB=60V,IE=0 VEB=5V,Ic=0 VCE=6V,Ic=2mA VCE=6V,Ic=150mA Ic=100mA,IB=10mA Ic=100mA,IB=10mA VCE=10V,Ic=50mA VCB=10V,IE=0,f=1MHz Ic=-0.1mA,VCE=6V RG=10kΩ,f=100Hz MAX UNIT 100 100 700 nA nA 0.1 0.25 1.0 2.0 1.0 3.0 1.0 V V MHz pF dB UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD 1 Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Current gain bandwidth product Output capacitance Noise Figure UTC MIN TYP 120 25 80 QW-R201-006,C PDF
Документация на 2SC1815GR 

Microsoft Word - 2sc1815-C.doc

Дата модификации: 27.10.2004

Размер: 76.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)