WM02DN110C

Document: W0803165, Rev: F WM02DN110C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN110C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration ID(A) 6.0 @VGS=4.5V 6.2 @VGS=4.0V 20 11 6.5 @VGS=3.7...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.