WM02DN110C
Document: W0803165, Rev: F
WM02DN110C
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
V(BR)DSS(V)
WM02DN110C uses advanced power trench
technology that has been especially tailored to
minimize the on-state resistance This device is
suitable for un-directional or bidirectional load
switch, facilitated by its common-drain configuration
ID(A)
6.0 @VGS=4.5V
6.2 @VGS=4.0V
20
11
6.5 @VGS=3.7...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN62X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WM02DN560Q (WAYON) | DFN83X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LP7203DT1WG (LRC) | — | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.