WM05DP01D

WAYON
WM05DP01DD Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features  Way-on Small Signal MOSFETs  VDS= -50V, ID = -0.13A D1 RDS(on) < 6Ω @ VGS = -10V G2 RDS(on) < 7Ω @ VGS = -5V  S2 S1 Trench LV MOSFET Technology G1 Mechanical Characteristics  SOT-363 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant D2 SOT-363 Schematic & PIN Configuration D1 G1 D2 D1 G2 S2 S1 G1 D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
WM05DP01DD Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features  Way-on Small Signal MOSFETs  VDS= -50V, ID = -0.13A D1 RDS(on) < 6Ω @ VGS = -10V G2 RDS(on) < 7Ω @ VGS = -5V  S2 S1 Trench LV MOSFET Technology G1 Mechanical Characteristics  SOT-363 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant D2 SOT-363 Schematic & PIN Configuration D1 G1 D2 D1 G2 S2 S1 G1 D2 G2 S1 S2 Device symbol SOT-363(Top view) Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -50 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -0.13 A IDM -0.52 A PD 200 mW TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 625 °C/W Continuous Drain Current TA=25°C Pulsed Drain Current1 Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev. A,2022 Doc:W0803625 1/4 PDF
Документация на WM05DP01D 

Features Keywords:

Дата модификации: 22.04.2022

Размер: 613.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)