WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB023N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
D
D
D
D
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
DD
G
ss
G
PDFN5060-8L
Features
⚫
D...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTG040N03A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTE3003A (JIEJIE) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0403AGQ (JIEJIE) | — | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL0403AG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC150N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | JMTG3002B (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB023N03LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 29.09.2022
Размер: 673.5 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.