WMF07N70C2

WAYON
WM MF07N70C C2 700 0V 1.3Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge D balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is S suitable fo or applicattions which h require superior power density and outstanding efficiency. G SOT-2 22...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WML09N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ WML07N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP09N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM MF07N70C C2 700 0V 1.3Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge D balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is S suitable fo or applicattions which h require superior power density and outstanding efficiency. G SOT-2 223-2L Features  VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.3Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) Symbol WMF07N70C2 Unit VDSSS 700 V ID 4 A 2.5 A IDM M 9 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current 2) Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) EAS A 15 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.1 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 0.7 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 5 W 0.04 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 4 A IS,puulse 9 A Symbol WMF07N70C2 Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 24 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 75 °C/W - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.3.0, 2017 Doc.W087 70020 1/7 PDF
Документация на WMF07N70C2 

Microsoft Word - WMF07N70C2 W0870020 V3.0

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 519.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)