WML15N80M3

WAYON
WML15N8 80M3, WM MM15N80M M3 WMN1 15N80M3, WMJ15N8 80M3, WM MK15N80M M3 800V 0.3Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D T and low ga ate charge performancce. WMOSTM M3 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P= WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P= WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P= WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
 — — — — —
A+ WMK80R350S (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
A+ WMM80R350S (WAYON)
 
TO263 24 шт
 
 — — — — —
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
— 12 шт
 
 — — —
A+ WMK15N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML15N8 80M3, WM MM15N80M M3 WMN1 15N80M3, WMJ15N8 80M3, WM MK15N80M M3 800V 0.3Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D T and low ga ate charge performancce. WMOSTM M3 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.3Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WM MN/WMM/WM MJ/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 15 A 8 A IDM M 56 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 350 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.25 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 3 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge 1) Continuous diode forward d current Diode pulse e current2) 150 35 W 1.2 0.28 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 15 A IS,puulse 56 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MN/WMM/WM MJ/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.85 3.7 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 201 19 Doc.W088 80014 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx15N80M3 

Microsoft Word - WMx15N80M3 W0880014 V3.0

Дата модификации: 12.01.2022

Размер: 661.5 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)