WMS12P03T1

WAYON
WMS12P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS12P03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S Features  S G SOP-8L VDS= -30V, ID = -11.5A RDS(on) < 15mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 25mΩ @ VGS = -4.5V  High Power and Current Ha...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM03P91A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP4407A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7424TR (YOUTAI)
 

IRF7424TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS12P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS12P03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S Features  S G SOP-8L VDS= -30V, ID = -11.5A RDS(on) < 15mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 25mΩ @ VGS = -4.5V  High Power and Current Handing Capability  Low Gate Charge RoHS compliant Applications   D G Power Management Switches Battery Protection Applications S Absolute Maximum Ratings (TA= 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS -30 V Gate-Source voltage VGS ±20 V TA=25°C -11.5 ID Continuous Drain Current TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A -7.3 IDM -45.8 A EAS 80 mJ PD 3 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 41.6 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.6.0, 2022 Doc:W0803205 1/7 PDF
Документация на WMS12P03T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 24.03.2022

Размер: 816.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)