WMS15P02T1

WAYON
WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -20V, ID = -15A G SOP-8L RDS(on) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS2022A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE4963 (NCE)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP085P02A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- IRF7404TR (YOUTAI)
 

IRF7404TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS15P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS15P02T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -20V, ID = -15A G SOP-8L RDS(on) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS compliant Applications D G  Power Management Switches  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA= 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V -15 TA=25°C ID Continuous Drain Current TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy1 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A -9.5 IDM -60 A EAS 61.25 mJ PD 3.1 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.2.0, 2021 Doc:W0803349 1/7 PDF
Документация на WMS15P02T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 17.03.2022

Размер: 769.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)