BSS84W
RoHS
BSS84W
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
-60 V
-0.17 A
<8 ohm
<9.9 ohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Low RDS(ON)
● Low Gate Charge
Applications
● Video monitor
● Power management
■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)
Parameter
Symb...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BSS84W (SHIKUES) | SOT-323-3 | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на BSS84W
Microsoft Word - BSS84W Rev3.1
Дата модификации: 09.12.2023
Размер: 1017 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.