DB107

RoHS DB101 THRU DB107 COMPLIANT Bridge Rectifiers - Features + ● UL recognition, file #E313149 ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 ~ Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. ~ Me...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DIP4
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= DB107 (DC)
 

DB107 (DIODES)
DB1 в линейках 50 шт

Файлы 1

показать свернуть
RoHS DB101 THRU DB107 COMPLIANT Bridge Rectifiers - Features + ● UL recognition, file #E313149 ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 ~ Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. ~ Mechanical Data ● Package: DB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code DB101 DB102 DB103 DB104 DB105 DB106 DB107 DB101 DB102 DB103 DB104 DB105 DB106 DB107 50 100 200 400 600 800 1000 DB106 DB107 VRRM V IO A 1.0 IFSM A 30 It 2 A2s 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, R-load, Ta=40℃ Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS DB101 DB102 DB103 DB104 VF V IFM=0.5A 1.00 IRRM μA VRM=VRRM 5 DB105 1/4 S-S1064 Rev2.1, 06-Feb-17 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на DB101B1 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 23.07.2018

Размер: 609.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.