DB207S

SUNCOYJ
RoHS DB201S THRU DB207S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS DB201S THRU DB207S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: DBS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code DB201S DB202S DB203S DB204S DB205S DB206S DB207S DB201S DB202S DB203S DB204S DB205S DB206S DB207S 50 100 200 400 600 800 1000 DB206S DB207S VRRM V IO A 2.0 IFSM A 60 It 2 A2s 15 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output On glass-epoxi current @60Hz sine wave, substrate R-load, Ta=40℃ Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VF IRRM V TEST CONDITIONS DB201S DB202S DB203S DB204S DB205S 1.00 IFM=1.0A μA VRM=VRRM 5 1/4 S-S012 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на DB201S 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 23.07.2018

Размер: 712.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)