EGBU1006

SUNCOYJ
RoHS EGBU1006 COMPLIANT Super Fast Recovery Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Glass passivated chip junction ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching mode power s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS EGBU1006 COMPLIANT Super Fast Recovery Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Glass passivated chip junction ● Ideal for printed circuit boards ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for monitor, TV, printer, power supply, switching mode power supply, adapter, audio equipment, and home appliances applications. Mechanical Data ● Package: GBU Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ~ ~ ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL EGBU1006 UNIT EGBU1006 Device marking code Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 420 VDC V 600 IO A Maximum DC blocking Voltage With heatsink Average rectified output Tc =100℃ current @60Hz half sine Without heatsink wave, R-load Ta =25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 10.0 3.2 IFSM A 175 I2t A2S 127 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Vdis KV 2.5 Tor kgꞏcm 8 Dielectric strength @ Terminals to case, AC 1 minute Mounting torque @Recommend torque：5kgꞏcm ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS EGBU1006 Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, IRR=0.25A 35 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=5.0A 1.7 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR Tj =25℃ 5 μA 100 Typical junction capacitance Cj Tj =125℃ Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C pF 54 1/4 S-B2903 Rev.1.0,07-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на EGBU1006 

Microsoft Word - EGBU1006

Дата модификации: 09.03.2023

Размер: 219.5 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 августа 2023
    новость

    Новые ультрабыстрые диодные мосты SUNCOYJ для портативных накопителей электроэнергии

    Портативный источник питания представляет собой небольшое устройство со встроенными литий–ионными аккумуляторами, которое может заменить небольшие классические генераторы с ДВС. Емкость аккумуляторов такого накопителя может составлять... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4936 (YJ)