ES1DQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 21 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- US1D T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт —
A- SS220AQ (YJ)
 
DO-214AC — Surface Mount Schottky Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES1AQ THRU ES1JQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES1AQ ES1BQ ES1CQ ES1DQ ES1FQ ES1JQ ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J 50 100 150 200 300 400 500 600 V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55~+150 Average rectified output current @ 60Hz sine wave, Resistance load, TL (Fig.1) ES1HQ ES1A VRRM Repetitive peak reverse voltage ES1GQ ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST ES1AQ ES1BQ ES1CQ ES1DQ CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,f=1MHz IRRM μA Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM ES1FQ 0.95 ES1GQ ES1HQ ES1JQ 1.3 1.7 35 21 13 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 1/5 S-S3197 Rev.1.5,21-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES1BQ 

Microsoft Word - ES1AQ THRU ES1JQ

Дата модификации: 21.11.2022

Размер: 250.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)