ES1G-F5-S0256HF

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.3 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- ES1GQ (YJ)
 
DO-214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- ES2GAQ (YJ)
 
DO-214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- GS1GQ (YJ)
 
DO-214AC — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- GS2GAQ (YJ)
 
DO-214AC — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES1A THRU ES1K COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 800 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 560 VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 800 IO A IFSM A ES1H ES1J ES1K Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @ 60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) 1.0 30 60 @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ I2t A2s 3.735 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage IR μA Tj =25℃ 5 100 Typical junction capacitance Cj pF Tj =125℃ Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 0.95 18 1.3 12 1.7 1.85 8 10 1/5 S-S751 Rev. 3.0,19-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES1G-F5-S0256HF 

Microsoft Word - ES1A THRU ES1K

Дата модификации: 19.09.2022

Размер: 217.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)