ES2BAQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 2 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 30 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS210 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA
 
 — —
A- SS310 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 300 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES2AAQ THRU ES2JAQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT ES2AAQ ES2BAQ ES2CAQ ES2AA ES2BA ES2CA ES2DA ES2FA ES2GA ES2HA ES2JA Device marking code ES2DAQ ES2FAQ ES2GAQ ES2HAQ ES2JAQ Repetitive peak reverse voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 IO A 2.0 IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST ES2AAQ ES2BAQ ES2CAQ ES2DAQ ES2FAQ ES2GAQ ES2HAQ ES2JAQ CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,f=1MHz Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode@ VRM=VRRM IRRM μA 0.95 1.3 1.7 25 20 35 30 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 1/4 S-S3365 Rev.1.2,13-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES2BAQ 

Microsoft Word - ES2AAQ THRU ES2JAQ

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 247 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)