MUR140

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 15 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4936G (YJ)
 
DO41
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4004 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 400 В; Uпрям: 1.1 В; Iпрям: 1 А; N: 1 — — — — — — —
P= HER105G (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- SF16G (YJ)
 
DO41
 
 —
A- 1N4004G (YJ)
 
DO41 10 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- 1N5395GS (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- FR104G (YJ)
 
DO41
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MUR120 THRU MUR160 COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MUR120 MUR140 MUR160 MUR120 MUR140 MUR160 200 400 600 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =75℃ IF(AV) A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 35 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MUR120 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM =1.0A 0.875 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Reverse Recovery time trr ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. PARAMETER MUR140 MUR160 1.25 Ta=25℃ 5 Ta=100℃ 150 25 50 20 1/4 S-A397 Rev.2.1, 16-Jul-15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MUR120 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 468.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)