SF54G

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 5 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 80 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- HER503G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR5200 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR8200 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
A- SB5200 (LRC)
 
DO201AD Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SF54G (LRC)
 
DO201AD
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SF51G THRU SF58G COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G SF56G SF57G SF58G SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G SF56G SF57G SF58G 50 100 150 200 300 400 500 600 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =60℃ IF(AV) A 5.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 150 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=5.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Reverse Recovery time trr Typical junction capacitance Cj SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G 0.95 1.3 Ta=25℃ 5 Ta=100℃ 150 ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 35 pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 SF56G SF57G SF58G 1.7 40 1/4 S-A159 Rev.2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SF51G 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 552.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.