YJG60N04A

SUNCOYJ
RoHS YJG60N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 60A ＜7mΩ ＜9mΩ General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG4004A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ YJG90N04A (YJ)
 
— 252 шт
 
 — —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG60N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 60A ＜7mΩ ＜9mΩ General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TA=25℃ 8 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 60 TC =100℃ 37 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 200 A EAS 100 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 83 TC =100℃ 33 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 40 50 Steady-State RθJC 1.2 1.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG60N04A F1 YJG60N04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E350 Rev.1.0,01-Jun-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG60N04A 

Дата модификации: 01.06.2023

Размер: 688.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)