YJJ3724B

SUNCOYJ
RoHS YJJ3724B COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 4A ＜32mΩ ＜48mΩ PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -3A ＜65mΩ ＜100mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJJ3724B COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 4A ＜32mΩ ＜48mΩ PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -3A ＜65mΩ ＜100mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Wireless charger ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol NMOS PMOS Unit Drain-source Voltage VDS 30 -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 4 -3 2.5 -1.9 30 -20 1.25 1.25 0.5 0.5 -55～+150 -55～+150 TA=25℃ Drain Current ID A TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation B A PD W TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ ■Thermal resistance NMOS Parameter PMOS Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State RθJA Units Typ Max Typ Max 80 100 80 100 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJJ3724B F2 3724B 3000 30000 OUTER CARTON DELIVERY MODE QUANTITY(pcs) 120000 7“ reel 1 / 10 S-E316 Rev.1.1,01-Jun-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJJ3724B 

Дата модификации: 31.05.2023

Размер: 576.7 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)